眾所周知，隨著科技的不斷發展，我國的科研技術也更上一層樓，不斷在新興領域取得突破性成就和發展，讓許多西方國家也羨慕不已。在我國科研發展早期，一直不斷受西方國家的技術封鎖和打壓，導致發展一度陷入艱難境地。而如今，我國湧現了一批又一批優秀的科研人才，不斷為祖國發光發熱，讓人感到驕傲和自豪。
這就不得不提我國在電子設備研究當中的成就。由我國中科院研發的采用垂直結構的石墨烯晶體管，使電信號的速度達到了往常的1000倍。目前的電子設備的集成度越來越大，單個芯片的內部晶體管的數量就會變多，而每個晶體管的延遲速度降低就會意味著它可以使用更高的時鍾頻率。這個突破技術彌補了我國當時在石墨烯材料上的研發短板，將石墨烯電子元件的運作速度提高了整整1000倍。這樣的突破讓當時的西方都感到驚訝表示這是不可能的。但是我們卻做到了。
而這樣的研究可以完全用到戰機的裝備當中。石墨烯基區晶體管出現意味著將來有望在太赫茲領域的高速器件中應用，具有在太赫茲領域發展的潛力。但由於還沒有研發出這一波段的雷達吸波材料，因此就算是像F-35先進的隱身戰機，在太赫茲雷達下也會現身。而且由於太赫茲雷達的定位準確度遠遠超過米波雷達，這款雷達就可以運用到導彈攔截方麵，這在軍事發展上將是一大利器，也給隱身戰機的存在造成了威脅。
而說到垂直結構的晶體管就能夠想到芯片的製造。它也是我國在芯片領域的重要支撐，使我國在芯片領域的發展也實現了彎道超車。芯片已經廣泛地運用到了我們的生活當中，手機、電腦以及軍事裝備都需要用到芯片這一關鍵技術，但芯片的製造是極其複雜的，其中也包括晶體管的組建。這款垂直結構的晶體管是以肖特基結構作為發射結的，它也被稱之為是“矽-石墨烯-鍺”晶體管，這樣就極大地提高了芯片的性能。
這已經充分說明了我國在這一領域的突破成就，關鍵的核心技術掌握在自己的手裏，不再受西方的封鎖，軍事上的運用更是解決了在戰爭當中的尖端問題，甚至可以保護飛行員的生命。而這也是國家勵誌發展科技的原因。